Scheda Prodotto: FDD5810 TO252
Descrizione del Prodotto: Il FDD5810 TO252 è un transistor ad effetto di campo MOSFET ad alta tensione e bassa capacità di carica, progettato per applicazioni ad alta frequenza e alta potenza. Questo componente è ideale per l’utilizzo in dispositivi elettronici che richiedono elevate prestazioni e affidabilità.
Caratteristiche Tecniche:
– Tensione di Breakdown Drain-Source: 100V
– Corrente continua Drain-Source: 5A
– Capacità di carica gate: 8nC
– Resistenza Drain-Source On-State: 0.1 ohm
– Temperatura di funzionamento: -55°C a +150°C
– Encapsulamento: TO252
Applicazioni:
Il FDD5810 TO252 è particolarmente adatto per l’utilizzo in amplificatori di potenza, convertitori DC-DC, invertitori elettrici e altre applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza e delle alte frequenze. Grazie alle sue prestazioni elevate, questo transistor è in grado di garantire una maggiore efficienza energetica e una maggiore resistenza alle elevate temperature di funzionamento.
Contenuto della Confezione:
5 pezzi di FDD5810 TO252
Nota: Si consiglia di consultare il datasheet ufficiale del prodotto per ulteriori dettagli sulle specifiche tecniche e le istruzioni di montaggio.
